晶圆包装机晶圆工艺生产工艺流程

晶圆包装机晶圆工艺生产工艺流程

晶棒成长 -- 晶棒裁切与检ce -- 外径研磨 -- 切片 -- 圆边 -- 表层研磨 -- 蚀刻 -- 去疵 -- 抛光 -- 清洗 -- 检验 -- 包装

1、晶棒成长工序：它又可细分为：

1）、融化（Melt Down）：将块状的高纯度复晶硅置于石英坩锅内，加热到其熔点1420°C以上，晶圆包装机使其完quan融化。

2）、颈部成长（Neck Growth）：待硅融浆的温度稳定之后，将〈1.0.0〉方向的晶种慢慢插入其中，接着将晶种慢慢往上提sheng，使其直径缩小到一定尺寸（一般约6mm左右），维持此直径并拉长100-200mm，以消cu晶种内的晶粒排列取向差异。

3）、晶冠成长（Crown Growth）：颈部成长完成后，慢慢降di提sheng速度和温度，使颈部直径逐渐加da到所需尺寸（如5、6、8、12寸等）。

4）、晶体成长（Body Growth）：不断调整提sheng速度和融炼温度，维持固定的晶棒直径，直到晶棒长度达到预定值。

5）、尾部成长（Tail Growth）：当晶棒长度达到预定值后再逐渐加快提sheng速度并提高融炼温度，使晶棒直径逐渐变小，以避免因热应力造成排差和滑移等现象产生，zui终使晶棒与液面完quan分离。到此即得到一根完整的晶棒。

2、晶棒裁切与检ce（Cutting & Inspection）：将长成的晶棒去掉直径偏小的头、尾部分，并对尺寸进行检ce，以决定下步加工的工艺参数。

3、外径研磨（Surface Grinding & Shaping）：由于在晶棒成长过程中，其外径尺寸和圆度均有一定偏差，其外园柱面也凹凸不平，所以必须对外径进行修整、研磨，使其尺寸、晶圆包装机形状误差均小于允许偏差。

4、切片（Wire Saw Slicing）：由于硅的硬度hen大，所以在本工序里，采用环状、其内径边缘镶嵌有钻石颗粒的薄片锯片将晶棒切割成一片片薄片。

5、圆边（Edge Profiling）：由于刚切下来的晶片外边缘很锋利，硅单晶又是脆性材料，为避免边角崩裂影响晶片强度、破坏晶片表面光洁和对后工序带来污染颗粒，必须用专用的电脑控制设备自动修整晶片边缘形状和外径尺寸。

6、研磨（Lapping）：研磨的目的在于去掉切割时在晶片表面产生的锯痕和破损，使晶片表面达到所要求的光洁度。